Principio de la iluminación con láser semiconductor.

Después de inyectar la corriente en los dos electrodos, los electrones en los átomos del material activo en la capa activa se excitan desde el estado de baja energía al estado de alta energía. Estos electrones de alta energía emiten luz cuando se reducen de un estado de alta energía a un estado de baja energía, que se denomina emisión espontánea. La luz emitida espontáneamente no es muy pura, es decir, contiene una línea espectral más amplia. Si la luz radiada espontáneamente es fuerte, la luz se refleja hacia adelante y hacia atrás dentro de los dos espejos del semiconductor. En este proceso, para cada energía luminosa con la misma fase, la energía está superpuesta y es más grande; para cada energía luminosa con fase inconsistente, la energía se debilita y se vuelve más y más pequeña. La energía se convierte en energía luminosa de una longitud de onda específica de acuerdo con la cavidad formada por las dos superficies de espejo del semiconductor, y forma un láser cuando oscila. El láser es generado por la llamada radiación estimulada. El espejo del semiconductor es suave y translúcido, y el láser puede emitirse desde el espejo. La función de la capa de confinamiento es concentrar la energía de la luz dentro de la capa activa para aumentar la eficiencia. La longitud de onda de la luz emitida por el láser semiconductor depende principalmente de la distancia entre el material del semiconductor y la superficie del espejo.