Aug 13, 2020 Dejar un mensaje

Desarrollo de tecnología láser de semiconductores

Desde la invención del primer láser semiconductor del mundo&en 1962, se han producido grandes cambios en el láser semiconductor, que promueve en gran medida el desarrollo de otras ciencias y tecnologías.

En los últimos años, el desarrollo del láser semiconductor de baja potencia utilizado en la tecnología de la información es muy rápido. Por ejemplo, los diodos láser DFB y dinámicos monomodo utilizados en la comunicación por fibra óptica, los diodos láser de longitud de onda visible ampliamente utilizados en el procesamiento de discos ópticos e incluso los diodos láser de pulso ultracorto se han mejorado enormemente.

Los diodos láser de baja potencia tienen las características de alta integración, alta velocidad y sintonización. El desarrollo de láseres semiconductores de gran potencia también se está acelerando.

En la década de 1980, la potencia de salida de los diodos láser independientes era de más de 100 MW y la eficiencia de conversión alcanzó el 39%. En la década de 1990, los estadounidenses volvieron a elevar el índice a un nuevo nivel, alcanzando una eficiencia de conversión del 45%. En términos de potencia de salida, también cambió de w a kW.

En la actualidad, con el apoyo de proyectos de investigación, los láseres semiconductores han logrado un gran progreso en la estructura del chip, el crecimiento epitaxial, el empaquetado de dispositivos y otras tecnologías láser, y el rendimiento de los dispositivos unitarios también ha logrado un gran avance: la eficiencia de conversión electroóptica es más del 70%, el ángulo de divergencia del haz es muy bajo, la potencia de salida continua de una sola barra es más de kW, y el disipador de calor de nano carbono (CN) se usa para enfriar el láser La eficiencia es 30% mayor que la del tradicional Tecnología de montaje de barras semiconductoras. La potencia de salida de un solo tubo de 100 μ m de ancho alcanza los 24,6 w, y la vida útil continua de alta potencia es de decenas de miles de horas.

Los láseres semiconductores de alta eficiencia y alta potencia también se desarrollan rápidamente en todos los láseres de estado sólido, lo que hace que los láseres de estado sólido LDP obtengan nuevas oportunidades y perspectivas de desarrollo.


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